[11p-W834-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-W834-5] 近接蒸着によるBaSi₂薄膜作製

〇原 康祐¹、瀧澤 周平¹、有元 圭介¹、山中 淳二¹、中川 清和¹ (1.山梨大)

キーワード：シリサイド半導体、蒸着、薄膜

簡便で高速かつ大面積成膜に適用可能なBaSi₂成膜法の実現を目指して、近接蒸着法の可能性について調査した。原料にBaSi₂を用いた際は原料の気化が困難であるが、BaAl₄-Ni混合粉末を用いることでBaの堆積が可能であることが分かった。基板にSiを用いることで、BaSi₂成膜に成功した。