[11p-W834-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-W834-6] スパッタリング法によるBaSi₂の二段階成長と特性評価

〇根本 泰良¹、松野 賢司¹、召田 雅実²、倉持 豪人²、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大、2.東ソー)

キーワード：半導体、スパッタリング