[11p-W933-1~11] 結晶工学×放射光シンポジウム

[11p-W933-2] RF-MBE法GaInNヘテロエピタキシャル成長における放射光その場X線回折測定

〇山口 智広¹、佐々木 拓生²、高橋 正光²、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、荒木 努³、名西 やすし³ (1.工学院大、2.量研、3.立命館大)

キーワード：InGaN、MBE、その場XRD観察

高品質GaInN膜の実現は、GaNマトリックスを用いるこれまでのGaN系発光デバイスに対し、より幅広いデバイス設計・デバイス応用を可能とする。高品質GaInN膜を実現するためには、格子緩和過程を理解し、その過程を制御することが求められる。今回は、我々が最近行っているRF-MBE法GaInNヘテロエピタキシャル成長における放射光その場X線回折測定により明らかとなった結晶成長時の動的挙動について紹介する。