[11p-W933-1~11] Symposium on Crystal Science with Synchrotron Radiation

[11p-W933-3] Evaluation of valence band structure and surface oxidation process of III-V nitrides by photoemission spectroscopy using synchrotron radiation at SPring-8

〇Masatomo Sumiya¹, Shigenori Ueda¹, Akitaka Yoshigoe², Masato Sumita³ (1.NIMS, 2.JAEA, 3.Riken)

Keywords:III-V nitride, Hard x-ray photo emission spectroscopy

我々はSPring-8で、6 keVの硬x線を励起源とした光電子分光を行えるBL15XUと、ガス雰囲気を変えて表面反応分析可能な光電子分光を有するBL23SUを用いて、III-V族窒化物半導体材料の評価を行った。それぞれのビームラインで得られた価電子帯上端におけるTail stateやその場観察XPSによる表面酸化の結果を紹介しながら、ギャップ内の欠陥準位や表面酸化の面方位依存性について議論する。