[11p-W933-1~11] 結晶工学×放射光シンポジウム

[11p-W933-3] 放射光光電子分光によるIII-V族窒化物半導体の価電子帯構造と表面酸化プロセスの評価

〇角谷 正友¹、上田 茂典¹、吉越 章隆²、隅田 真人³ (1.物材機構、2.原子力機構、3.理研)

キーワード：III-V族窒化物、放射光光電子分光

我々はSPring-8で、6 keVの硬x線を励起源とした光電子分光を行えるBL15XUと、ガス雰囲気を変えて表面反応分析可能な光電子分光を有するBL23SUを用いて、III-V族窒化物半導体材料の評価を行った。それぞれのビームラインで得られた価電子帯上端におけるTail stateやその場観察XPSによる表面酸化の結果を紹介しながら、ギャップ内の欠陥準位や表面酸化の面方位依存性について議論する。