[11p-W933-1~11] Symposium on Crystal Science with Synchrotron Radiation

[11p-W933-4] In situ X-ray structure analysis of liquid Ga layers on N-polar GaN

〇Takuo Sasaki¹, Masamitu Takahasi¹ (1.QST)

Keywords:Synchrotron radiation, molecular beam epitaxy, GaN

窒化ガリウム（GaN）成長中の表面構造を定量的に捉えることは、エピタキシャル成長の基礎学理を理解する上で重要であるとともに、結晶のさらなる高品質化に向けた設計指針の構築にとっても重要である。我々はこれまでに、GaN表面上にGaを照射しながらX線Crystal Truncation Rod（CTR）散乱強度をその場測定することによって、Ga極性GaN表面上の液体Ga層の構造を明らかにしている。本研究は同測定手法をN極性GaN表面に適用し、実験とシミュレーションからGaN表面上の液体Ga層の構造を決定した。