[11p-W933-1~11] 結晶工学×放射光シンポジウム

[11p-W933-7] 放射光を使ったGaN系混晶半導体とGaN系量子殻の局所構造評価

〇宮嶋 孝夫¹、清木 良麻¹、近藤 剣¹、市川 貴登¹、伊奈 稔哲²、新田 清文²、宇留賀 朋哉²、鶴田 一樹²、隅谷 和嗣²、今井 康彦²、木村 滋²、安田 伸広²、三好 実人³、今井 大地¹、竹内 哲也¹、上山 智¹ (1.名城大理工、2.JASRI、3.名工大)

キーワード：窒化物系半導体、X線吸収微細構造法、X線ナノビーム

我々は、1997年から共用が開始された大型放射光施設SPring-8を利用して、X線吸収微細構造法(XAFS)によるGa_1-xIn_xN混晶半導体の構造評価や、X線マイクロビームを使った横方向成長GaNの構造評価などを行うことで、既存の評価手法で得られない新規知見を得て、窒化物系半導体レーザ開発へのフィードバックを行ってきた。本講演では、最近取り組んでいるXAFS法を用いたGaN系混晶半導体であるAl_1-xIn_xN等と、X線ナノビームを用いたGaN系量子殻活性層の局所構造評価に関して紹介する。