[11p-W933-1~11] 結晶工学×放射光シンポジウム

[11p-W933-8] 放射光ナノビームX線回折を用いた半導体材料・デバイスの構造解析

〇酒井 朗¹、志田 和己¹、植田 瑛¹、藤平 哲也¹、今井 康彦²、隅谷 和嗣²、木村 滋² (1.阪大院基礎工、2.JASRI)

キーワード：ナノビームX線回折、IV族半導体エピタキシャル膜、窒化物半導体エピタキシャル膜

放射光ナノビームX線回折を用いて，IV族半導体および窒化物半導体材料に対する高空間分解能結晶構造解析評価を行い，局所領域３次元逆格子マッピングとトモグラフィックマッピング解析に基づき，結晶中欠陥が周囲に与える結晶学的効果の定量解析を実証した．また，シンクロトロン放射光のパルス時間構造を利用した，窒化物半導体系HEMTデバイスのゲート電圧印加で生ずる格子構造変化の時分割オペランド計測についても紹介する．