[12a-M101-7~11] 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関

△ [12a-M101-10] GaAs/AlGaAs量子井戸における高移動度二次元電子スピンのゼロ磁場歳差運動の励起密度依存性

〇北澤 豪¹、古庄 裕也¹、宮島 顕祐¹、大野 裕三²、大野 英男³、石原 淳¹ (1.東理大院理、2.筑波大、3.東北大通研)

キーワード：スピン軌道相互作用、半導体、スピン永久旋回

長い運動量緩和時間を持つ二次元電子ガス系では、電子がスピン軌道相互作用による有効磁場のみを受けて歳差運動する様子が観測される。今回、高移動度二次元電子ガスにおいて光励起電子スピンのゼロ磁場歳差運動の励起密度依存性を調べた。励起密度の増加に伴いゼロ磁場歳差運動の歳差運動周波数は減少した。この原因として、励起密度の増加により電子の散乱頻度が増えたこと、スピン軌道相互作用が変調されたことが考えられる。