2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[12a-M101-1~6] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

2019年3月12日(火) 09:00 〜 10:30 M101 (H101)

窪田 崇秀(東北大)

10:00 〜 10:15

[12a-M101-5] Edge state of nanoscale magnetic tunnel junctions investigated by spin-wave resonance

Motoya Shinozaki1、Takaaki Dohi1、Junta Igarashi1、Justin Llandro1,2,3、Shun Kanai1,2,4、Shunsuke Fukami1,2,3,4,5,6、Hideo Sato1,2,3,4,5、Hideo Ohno1,2,3,4,5,6 (1.RIEC, Tohoku Univ.、2.CSRN, Tohoku Univ.、3.CSIS(CRC), Tohoku Univ.、4.CSIS, Tohoku Univ.、5.CIES, Tohoku Univ.、6.WPI-AIMR, Tohoku Univ.)

キーワード:Magnetic tunnel junction