[12a-M113-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [12a-M113-2] 逆格子空間マッピングを用いたGe_1-xSn_xメサ構造における歪緩和評価

〇(M1)高橋 祐樹¹、横川 凌^1,2、廣沢 一郎³、須田 耕平¹、小椋 厚志¹ (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.高輝度光科学研究センター)

キーワード：歪、逆格子空間マッピング

メサ構造に加工したSn濃度3.2及び1.3％のGe_1-xSn_x /Ge(001)膜について、-115、-117及び-337回折近傍の逆格子空間マッピング測定を行った結果、幅0.5 μmの試料において、メサ構造面内短軸の格子緩和は幅0.5 μmの試料の全域に渡って生じていると考えられ、先行研究であるSSOIやSiGe/Siとは異なり、より広い範囲で歪緩和が生じていることが確認された。