[12a-M113-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[12a-M113-4] SiO₂上Ge成長膜の擬誘電応答関数に関するモデルとフィッテイング

〇赤沢 方省¹ (1.NTTデバイスイノベーションセンタ)

キーワード：Ge、分光エリプソ、誘電応答関数

分光エリプソは半導体材料の評価に有効な手法であるが、含まれる各成分が典型的で既知の誘電率を有するものでないと、進んだ解析を適用できない。本研究では２次元層、および３次元ドット構造を有する多結晶／微結晶／ナノ結晶のGe膜に対して、単結晶GeとアモルファスGeの誘電応答関数の混合と多層構造を仮定した解析により、どの程度実験結果が再現できるかを示す。