[12a-M113-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[12a-M113-8] エピタキシャル成長におけるリコン多形の結晶成長の可能性

〇北 玲男¹、豊田 雅之¹、斎藤 晋¹ (1.東工大)

キーワード：結晶多形、シリコン、エピタキシャル成長

本研究ではエピタキシャル成長において基板の格子定数を圧縮し結晶が基板と同じ格子定数を持って成長するという予想の下で研究を行った。この時、その格子定数の下で多形の間でエネルギーの逆転が起きると、よりエネルギーが小さい構造の結晶が成長すると考えられる。そこで、Siについて格子定数aのみを小さくしたとき2H、3H、4Hのエネルギーを比較することにより、各構造のエネルギー安定性を調べた。その結果、3Hと2H、4Hの結晶の間でエネルギーの逆転が起こり、2Hと4Hがエピタキシャル成長により成長できる可能性があることが分かった。