[12a-M121-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12a-M121-1] 窒素イオン注入を用いて作製したガードリング付き縦型Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード (II)

〇林 家弘¹、湯田 洋平²、ワン マンホイ¹、佐藤 万由子³、竹川 直³、小西 敬太³、綿引 達郎²、山向 幹雄²、村上 尚³、熊谷 義直³、東脇 正高¹ (1.情通機構、2.三菱電機（株）、3.東京農工大院工)

キーワード：酸化ガリウム、フィールドプレートショットキーバリアダイオード、ガードリング

我々は、窒素イオン注入 (N⁺⁺) ドーピングにより、縦型Ga₂O₃フィールドプレートショットキーバリアダイオード(FP-SBD)にガードリング(GR)構造を追加した。FPとGRエッジ終端構造２つを併用することで、特性オン抵抗5 mΩ∙cm²、耐圧1.4 kVの優れた特性を有する、縦型 Ga₂O₃ SBDを作製することに成功したので報告する。