[12a-M121-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12a-M121-4] 窒素ドープチャネルを有するノーマリーオフβ-Ga₂O₃ MOSFET

〇上村 崇史¹、中田 義昭¹、ワン マンホイ¹、タン ホング フック¹、東脇 正高¹ (1.情通機構)

キーワード：酸化ガリウム、パワーデバイス

β-Ga₂O₃は、4.5 eVと大きなバンドギャップを持ち、5 MV/cm以上の高い絶縁破壊電界を有することから、将来のパワーデバイス半導体材料として注目を集めている。これまでに我々は、β-Ga₂O₃中でディープアクセプタとして機能する窒素 (N) をイオン注入ドーピングすることで電流ブロック層を形成した縦型ノーマリーオンMOSFETを実現している。今回、NドープGa₂O₃チャネルを用いた横型ノーマリーオフβ-Ga₂O₃ MOSFETを作製したので報告する。