[12a-PA3-1~26] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-PA3-17] デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O/Ag_xO接合型ショットキーダイオードの特性解析

〇(M2)濱田 賢一朗¹、曲 勇作¹、是友 大地¹、増田 健太郎¹、古田 守^1,2 (1.高知工大、2.高知工大総研)

キーワード：In-Ga-Zn-O、ショットキーダイオード、デバイスシミュレーション

Ar+O₂+H₂混合ガスを用いたスパッタリングにてIn-Ga-Zn-O(IGZO)を成膜し、150℃の低温プロセスでショットキーダイオード(SDs)を作製した。IGZO成膜水素流量比(R[H₂]=H₂/(Ar+O₂+H₂))を0から5%に増大することでSDsの整流比が1.0×10⁵から3.6×10⁹ へ向上した。この要因としてR[H₂]が増大することでIGZOの電子親和力や欠陥準位の低減が示唆された。そこでデバイスシミュレーションを用いてIGZOの電子親和力や欠陥準位がSDsの特性に与える影響を検討した。