[12a-PA3-1~26] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [12a-PA3-18] 自己組織化単分子膜によるInGaZnO/イオン液体界面反応の保護作用

〇石田 翔麻¹、藤井 茉美²、劉 洋²、山田 裕久¹、石河 泰明²、藤田 直幸¹、浦岡 行治² (1.奈良高専、2.奈良先端)

キーワード：界面評価、酸化物半導体、イオン液体

これまで非晶質InGaZnO(a-IGZO)にイオン液体(IL)を用いた電気二重層トランジスタ(EDLT)は、高密度キャリア蓄積による低電圧駆動化が可能となり、IGZOの電界劣化、発熱劣化を抑制することが報告されている。しかし、a-IGZO/IL界面の化学反応が起因すると考えられる劣化が生じていた。そこでa-IGZOとILの界面反応を抑制する手法として、特に撥水性の高い自己組織化単分子膜(1H,1H,2H,2H-Perfulorodecyltriethoxysilane : FDTS) を用い、a-IGZO/IL界面を保護することを提案した。これによる、保護効果について検討した。