[12a-PA3-1~26] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-PA3-20] ZnOナノ粒子層の低抵抗化のための熱拡散型Gaドープにおける熱処理雰囲気の影響

〇吉田 俊幸¹、Islam Md Maruful²、藤田 恭久¹ (1.島根大院自然科学、2.島根大院総理工)

キーワード：半導体粒子層、ZnO、Gaドープ

ZnOナノ粒子層を薄膜トランジスタ(TFT)チャネル層へ応用する研究である。これまでn-チャネルだけでなくp-チャネルTFT動作も達成してきたが，粒子層の抵抗が極めて高い（MΩ～GΩ台）という問題があった。前回，n-ZnO粒子についてはGa₂O₃粒子を用いた熱拡散によりGaドープを試み，抵抗の劇的な低減化に成功した。今回は新たに熱拡散時の雰囲気ガスの影響について検討を加えた。