[12a-PA3-1~26] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-PA3-22] プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価 (3)

〇村中 司¹、小野 裕俊¹、寺田 佳史¹、渡辺 三志郎¹、鍋谷 暢一¹、松本 俊¹ (1.山梨大工)

キーワード：酸化亜鉛、GZO、透明導電膜

本研究グループは、これまでに、低温・低損傷プロセスであるプラズマ支援分子線堆積法を用いて各種フレキシブル基板上へのGa添加ZnO(GZO)透明導電膜の形成と評価を行ってきた。今回の発表は、各種フレキシブル基板上に形成したGZO透明導電膜の成長条件依存性、光学的特性、電気的特性、大きな曲げ変形に伴う電気抵抗率の変化を調査した結果について報告する。