[12a-PA3-1~26] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [12a-PA3-25] ワイドギャップp型Sn-Nb-O系の局所構造と正孔生成との相関

〇(DC)三溝 朱音^1,2、菊地 直人¹、相浦 義弘¹、西尾 圭史² (1.産総研、2.東京理科大)

キーワード：透明酸化物半導体、p型半導体、リートベルト解析

Sn²⁺酸化物では、価電子帯を流れる正孔はSn5s軌道により効率的に非局在化されるため、高い正孔移動度が期待される。しかし、正孔の導入が難しく、p型伝導性を実現することは難しかった。我々は、アニール条件を詳細に制御することで正孔導入を行い、新規p型ワイドギャップ酸化物Sn₂Nb₂O₇,SnNb₂O₆の作製に初めて成功した。今回は、これらの正孔生成効率の違いと結晶構造との相関を考察した結果を発表する。