[12a-PA3-1~26] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-PA3-7] ミストCVD法における原料溶媒が薄膜成長に及ぼす影響

〇坂本 雅仁¹、安岡 龍哉¹、西 美咲¹、刘 丽¹、ﾙﾄﾝｼﾞｬﾝ ﾋﾟﾓﾝﾊﾟﾝ¹、佐藤 翔太¹、上田 真理子¹、田頭 侑貴¹、長谷川 諒¹、尾崎 珠子¹、鄧 太 江¹、川原村 敏幸^1,2 (1.高知工大、2.総研)

キーワード：ミストCVD法、酸化ガリウム、TG-DTA

近年、酸化物薄膜作製手法として多くの関心を集める手法の一つに大気圧下で多種多様な機能薄膜を作製可能な「ミストCVD法」がある。原料となる元素を含むミストを基板上で熱分解することで機能薄膜を形成する。本研究室では薄膜成長メカニズム・多種多様な機能薄膜・新世代(第3世代)技術を中心に研究に取り組んでいる。今回は、H₂O, MeOH, HCl, NH₃などの原料溶媒の観点から、溶媒が薄膜に与える影響について報告する。