[12a-PA3-1~26] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-PA3-8] 触媒反応支援CVD法におけるZnO膜へのNOドーピング特性

伊庭 竜太¹、安達 雄大¹、Abdul Manaf²、〇安井 寛治¹ (1.長岡技科大、2.MJIIT)

キーワード：触媒反応、ZnO、窒素ドーピング

触媒反応により生成した高エネルギーH₂Oを用いたCVD法で堆積したZnOへの窒素ドープを目指し、膜成長時に加熱したIrワイア表面での触媒分解反応によりNOガスより生成した窒素ラジカルを供給した。XPSを用いて窒素の結合状態について調べた結果, 基板温度450℃、NOガス圧0.01Pa以下において窒素の取り込みおよびZn-N成分が多くなることが分かった。