2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-PA3-1~26] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2019年3月12日(火) 09:30 〜 11:30 PA3 (屋内運動場)

09:30 〜 11:30

[12a-PA3-9] Ag/ZnO接合の加熱処理における界面電子状態の評価

山形 栄人1,2、大澤 健男1、保坂 拓己1,2、Herve Montigaud3、石垣 隆正2、大橋 直樹1 (1.物材機構、2.法政大、3.Saint-Gobain Recherche)

キーワード:薄膜、界面、電子状態

低放射(Low-E)ガラスは、表面に極薄金属層と誘電体層の積層構造を形成することで、可視光領域から赤外領域での光透過性を制御したガラスである。積層する膜の材質や膜厚をパラメータとし構造設計がなされる。しかし、熱によって誘起された界面反応や歪みの効果などによりその特性が大きく変化してしまうことが知られている。さらなる特性や耐久性の向上には、界面での反応性を含めた熱的・機械的安定性の理解が不可欠である。