[12a-PA4-1~9] 31.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

[12a-PA4-2] 非結晶酸化物半導体を記憶素子として用いたニューロモロフィックデバイス

〇杉崎 澄生¹、倉崎 彩太¹、田中 遼¹、滝下 雄太¹、松田 時宜³、中島 康彦²、木村 睦^1,2,3 (1.龍谷大学、2.奈良先端大、3.龍谷大革新プロセス研究センター)

キーワード：非結晶酸化物半導体、Ga-Sn-O