[12a-PA4-1~9] 31.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

[12a-PA4-3] フェロセン修飾高分子電解質超薄膜を用いた抵抗変化スイッチの電流–電圧特性

〇渡邉 暁斗¹、山本 俊介¹、三ツ石 方也¹ (1.東北大多元研)

キーワード：抵抗変化スイッチ、交互積層膜、フェロセン

長期記憶に酸化還元反応を、短期記憶にイオン拡散を用いたシナプス模倣素子の作製を試みた。フェロセン導入率の異なるポリエチレンイミンを用いて抵抗変化スイッチを作製し電流–電圧測定を行った結果、低導入率ではイオン拡散とフェロセンの酸化還元反応が確認できたが、導入率を大きくするとそれらが消失していき、イオン伝導から電子伝導に遷移していくことが分かった。