[12a-PB3-1~16] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[12a-PB3-2] 低水素a-Si膜の低温成膜

〇東 大介¹、瀬戸口 佳孝¹、安東 靖典¹ (1.日新電機)

キーワード：アモルファスシリコン、TFT、低温

従来LTPS用の低水素a-Si膜形成には耐熱性のある基板を用いた上で、高圧下でプラズマCVD成膜した後に400℃以上で脱水素アニールなどを行っている。安価で、かつフレキシブルな樹脂基板を考慮した場合、プロセスの低温化が必要不可欠である。今回誘導結合プラズマ技術、Arおよび水素で希釈したSiF4ガスを用い、比較的低温な基板温度300℃においても、脱水素処理が不要な領域の低水素a-Si膜を確認した。