[12a-PB3-1~16] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[12a-PB3-4] ナノデバイスの微細化に伴うカシミール効果の影響

〇(B)香川 建¹、河原 尊之¹ (1.東京理科大工)

キーワード：MEMS、場の量子論、センサー

現在デバイスの微細化が進歩し、場のゆらぎにより生じるカシミール効果の影響を受けやすくなっている。そこで今回、広く使用されているMEMSの加速度センサを単純化したモデル（1μm×1μm×300nmの平行平板2枚と、ばね定数3.5N/mのばね)においてその影響を検討した。その結果、今回のモデルでは、真空絶対零度の条件ではあるが平板間が30nmより小さくなると影響が大きいとわかった。