The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[12a-PB4-1~23] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Tue. Mar 12, 2019 9:30 AM - 11:30 AM PB4 (PB)

9:30 AM - 11:30 AM

[12a-PB4-3] Detection of Nonradiative Recombination Centers in SiAlON Phosphor by Below-Gap Excitation Light Without Temperature Quenching

Yuya Tanaka1, Norihiko Kamata1 (1.Saitama Univ.)

Keywords:Phosphor, SiAlON

白色LED用の緑色蛍光体として安定性の高いβ-SiAlONが注目され、さらなる高効率・低コスト化を目指すために非発光再結合(欠陥)準位の検出・評価が不可欠である。本研究ではこの蛍光体にバンドギャップよりも低光子エネルギーの励起(BGE)光を用い、温度消光と切り離して非発光再結合準位の測定を行った。