2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[12a-W521-1~10] 17.3 層状物質

2019年3月12日(火) 09:00 〜 11:30 W521 (W521)

町田 友樹(東大)

10:45 〜 11:00

[12a-W521-8] 層状反強磁性体を用いた磁性ヘテロ界面における光物性

〇(D)恩河 大1、杉田 悠介1、井手上 敏也1、中川 裕治1、鈴木 龍二1、求 幸年1、岩佐 義宏1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

キーワード:ファンデルワールスヘテロ構造、遷移金属ダイカルコゲナイド、層状反強磁性体

本研究では遷移金属カルコゲナイド(TMD)の単層と層状反強磁性体を用いてファン・デル・ワールスヘテロ界面を作製し、その光物性を測定した。その結果、反強磁性体の種類や積層パターンによって単層TMDの発光スペクトルが変化することを発見した。この結果はヘテロ界面において反強磁性体の磁性秩序が非磁性体である単層TMDの光物性に影響を及ぼすことを示唆している。