[12a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12a-W541-3] ハイドライド気相成長法による積層欠陥の少ない高品質半極性{20-21}面GaNテンプレート上GaNの成長

〇新宮 章吾¹、藤本 怜²、岡田 成仁²、ジェ ソン³、ジュン ハン³、只友 一行² (1.山口大学工学部、2.山口大院・創成科学、3.エール大学)

キーワード：HVPE、半極性、GaN