[12a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [12a-W541-5] 光熱偏向分光法によるGaN自立基板上ホモエピタキシャル層の評価

〇福田 清貴^1,2、矢代 秀平^1,2、藤倉 序章³、今野 泰一郎³、鈴木 貴征³、藤本 哲爾³、吉田 丈洋³、尾沼 猛儀²、山口 智広²、本田 徹²、角谷 正友¹ (1.物材機構、2.工学院大、3.サイオクス)

キーワード：GaN、光熱偏向分光法、非輻射再結合

III-V族窒化物材料のバンドギャップ内の深い欠陥準位を検出できる光熱偏向分光法を開発し、それを用いてGaN自立基板上とホモエピタキシャル成長した層について評価を行ったので報告する。