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[12a-W611-4] 横方向回折格子を設けたリッジ型半導体レーザーにおける回折格子形成領域の検討
キーワード：半導体レーザー、リッジ導波路
高次モードの発振を抑制する目的で，リッジ型導波路のメサ両脇に横方向位相シフト回折格子を設けた半導体レーザーが提案された．今回，メサと横方向回折格子形成領域との距離の観点から，回折格子形成領域とレーザー特性との関係を調べた.メサと回折格子形成領域との距離が増加するにつれ，高次モードに対する損失が増加した．この結果，高次モードの発振が抑制され，単一モード動作が得られた．