[12a-W631-1~13] CS.3 3.11 フォトニック構造・現象、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション

[12a-W631-1] [講演奨励賞受賞記念講演] GaAs機械振動子における束縛励起子の寿命変調

〇太田 竜一¹、岡本 創¹、俵 毅彦^1,2、後藤 秀樹¹、山口 浩司¹ (1.NTT物性基礎研、2.NTTﾅﾉﾌｫﾄﾆｸｽｾﾝﾀ)

キーワード：機械振動子、束縛励起子、寿命変調

半導体の励起子寿命は光素子の発光強度や応答速度を決める重要な物理量であり、励起子寿命の制御により光素子の高性能化や高機能化が可能となる。従来、励起子寿命の制御には磁場や電場が用いられていたが、今回、化合物半導体の圧電効果を利用することで機械振動子の歪による励起子寿命の制御を実現した。外場を用いない本手法は集積素子や高速素子への適応を可能とする励起子寿命の変調手法として期待される。