[12p-M101-1~14] 10.4 Semiconductor spintronics, superconductor, multiferroics

[12p-M101-14] Growth of (110)-oriented GaAs/AlGaAs quantum wells by MBE with As₂ and measurement of recombination lifetime and spin relaxation time

〇Ryogo Okamoto¹, Satoshi Iba², Hidekazu Saito², Shinji Yuasa², Yuzo Ohno¹ (1.Univ. of Tsukuba, 2.AIST)

Keywords:quantum well, spin relaxation time

(110)面方位のGaAs量子井戸は室温で数nsの長いスピン緩和時間を有することから、半導体スピンデバイスのプラットフォームとして有望である。我々はMBE法を用いてGaAs(110)量子井戸の作製に取り組み、As源としてAs₄を使用し室温での再結合寿命4 nsを実現した。一方As₂を供給源に使用することでGaAs表面へのAs吸着性がより改善すると期待される。本研究ではAs₂を用いてGaAs (110)量子井戸を作製し再結合寿命とスピン緩和時間を系統的に評価したので報告する。