[12p-M111-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [12p-M111-3] CMOSイメージセンサ向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの製品特性（II）
–CH₄Nイオン注入エピタキシャルウェーハの基礎特性–

〇鈴木 陽洋¹、門野 武¹、廣瀬 諒¹、奥山 亮輔¹、柾田 亜由美¹、重松 理史¹、小林 弘治¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.株式会社SUMCO)

キーワード：分子イオン、CH4N

CMOSイメージセンサの性能を向上させるため、我々は近年、水素及び炭素、窒素から成る多元素分子（CH₄N）イオンを注入したエピタキシャルシリコンウェーハを新たに開発している。CH₄Nイオン注入エピタキシャルウェーハは、高い重金属ゲッタリング能力及び絶縁膜/Si界面のパッシベーション能力をもつことが期待される。今回は、CH₄Nイオン注入エピタキシャルウェーハの重金属ゲッタリング能力と注入領域の欠陥形態について報告する。