[12p-M111-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[12p-M111-4] パワーデバイス用 Si 結晶中の欠陥形成に関する第一原理解析

〇(M1)土屋 大輝¹、末岡 浩治¹、山本 秀和² (1.岡県大、2.千葉工大)

キーワード：Ci-Oi(格子間炭素-格子間酸素)、V-V (原子空孔対)

パワーデバイス用の n 型 CZ-Si 結晶でのライフタイム制御を目的とした電子線照射後の欠陥の形成に着目した第一原理計算を行った．Si 64原子モデルにおける可能なすべての原子配置における不純物間の結合エネルギーを計算することで安定な複合体構造を探索し，また，原子配置や拡散障壁を考慮することで移動経路を推定した．これにより，ライフタイムの制御性に影響を及ぼす要因についての知見を得ることを目的とした．