[12p-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [12p-W541-10] 高品質AlInN/GaN多層膜反射鏡のためのその場観察反り測定

〇(M1)平岩 恵¹、村永 亘¹、岩山 章¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：多層膜反射鏡、AlInN、反り

高品質AlInN/GaN DBR形成には、AlInNをGaNに格子整合させる組成制御が重要である。この組成制御の一つの手法として、その場ウエハ反り測定が挙げられ、AlInN/GaN DBRに関する報告もなされている。本報告では、AlInN層の高精度組成制御に向けて、その場ウエハ反り測定とその後X線回折測定における相関を検討した。その結果、成長温度に対する両者の傾向がよく一致するとともに、InNモル分率値の差異は0.5%以下であった。