[12p-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [12p-W541-11] 成長モード制御によるAlGaN下地層の高品質化とUV-Bレーザへの応用

〇(M2)川瀬 雄太¹、池田 隼也¹、櫻木 勇介¹、安江 信次¹、手良村 昌平¹、田中 隼也¹、荻野 雄矢¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩山 章^1,3、赤﨑 勇^2,1、三宅 秀人³ (1.名城大理工、2.名古屋大・赤崎記念研究センター、3.三重大・地域イノベ)

キーワード：AlGaN、レーザ

本報告では、アニールしたスパッタ AlN 膜上に、厚膜のAlGaN下地層の膜厚の成長モードを制御することが高品質AlGaNを得るのに有用であることを見出したので報告する。また、そのAlGaN下地層に活性層を積層させてレーザ特性や転位密度について調べた。当日は、断面TEM像を用いて、転位低減のメカニズムと成長モードについても詳細に議論する。