2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年3月12日(火) 13:30 〜 17:00 W541 (W541)

小島 一信(東北大)、船戸 充(京大)

16:45 〜 17:00

[12p-W541-12] 様々なAlNテンプレート上に形成した緩和AlGaN層に作製したUV-Bレーザー

〇(B)手良村 昌平1、川瀬 雄太1、池田 隼也1、櫻木 勇介1、安江 信次1、田中 隼也1、荻野 雄矢1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、岩山 章1,3、赤﨑 勇1,2、三宅 秀人3 (1.名城大学理工、2.名古屋大赤﨑記念研究センター、3.三重大地域イノベ)

キーワード:窒化物半導体、AlGaN、レーザ

本研究では、様々なAlNテンプレート上に緩和させたn-AlGaNの製膜を行い、光学特性を評価を行った。AlNテンプレート違いによる光学特性の大きな差がないという点と、n-AlGaNの膜厚を圧膜化させることで光学特性が改善することを見出した。