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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年3月12日(火) 13:30 〜 17:00 W541 (W541)

小島一信(東北大)、船戸充(京大)

15:00 〜 15:15

[12p-W541-6] 無極性m面AlNバルク基板上に成長したm面AlGaNの組成変調

〇西中淳一¹、谷保芳孝¹、熊倉一英¹ (1.NTT物性研)

キーワード：窒化物半導体、無極性面、有機金属気相成長