[12p-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-W541-7] AlInNエピタキシャル膜のSiドーピングによる導電性制御

〇(M1)山中 瑞樹¹、三好 実人¹、江川 孝志¹、竹内 哲也² (1.名工大、2.名城大)

キーワード：AlInN、MOCVD

GaN系可視光レーザの高効率化に向けて、GaN、InGaNとの比屈折率差が大きいAlInN厚膜クラッド層の開発に取り組んでいる。これまでの研究成果として、c面サファイア上GaNにほぼ格子整合して形成した膜厚300 nmのAlInN膜においてRMS表面粗さが約1.8 nm 、c面自立GaN基板上で約0.5 nmと表面平坦な膜が得られたことを報告してきた。今回、我々は、c面サファイア上GaNに膜厚500 nmのSiドープAlInN膜を成長し、不純物濃度及びイオン化不純物濃度の評価を行った。