[12p-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-W541-8] GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長とその結晶評価

〇原田 紘希¹、三好 実人¹、江川 孝志¹、竹内 哲也² (1.名古屋工業大学、2.名城大学)

キーワード：MOCVD、AlGaInN

GaN 系可視光LD の高効率化・高出力化に向けて、GaN、InGaN との大きな比屈折率差が見込めるAlInN 厚膜クラッド層の開発に取り組んでいる。これまでに得られた知見として、良好な結晶性と高い表面平坦性を有するAlInN 膜を得るには、面内引張歪みを内包する組成領域でエピ成長を行う必要がある。一方、LD のクラッド層のように数100nm の厚膜を形成する場合、クラック等抑制の観点から面内圧縮歪みの組成領域で成長できることが本来望ましい。本研究では、AlInN 以外のクラッド層候補材料として四元混晶AlGaInN の可能性を検討することとし、GaN に格子整合する組成近傍にてエピタキシャル成長とその結晶評価を行った。