[12p-W934-1~10] 9.3 ナノエレクトロニクス

[12p-W934-6] Auナノギャップ狭窄化における通電手法の検討と単一電子帯電特性

〇谷 創貴¹、南 浩二¹、坂井 奎太¹、佐藤 友美¹、島田 萌絵¹、伊藤 光樹¹、八木 麻実子²、白樫 淳一¹ (1.東京農工大院工、2.一関高専)

キーワード：単電子トランジスタ、ナノギャップ、エレクトロマイグレーション