[12p-W934-1~10] 9.3 ナノエレクトロニクス

△ [12p-W934-8] HPPMSを用いたSpindt型エミッタ作製におけるキャビティ構造の影響

〇谷口 日向¹、中野 武雄¹、大家 渓¹、長尾 昌善²、大崎 壽²、村上 勝久² (1.成蹊大理工、2.産総研)

キーワード：スパッタリング、Spindt型エミッタ

Spindt型エミッタでは、微小なキャビティの上部に穴を設け、そこにエミッタ材料を堆積させ、内部に円錐形状の陰極を作製する。本研究ではこれまで大電力パルススパッタ装置を用いてMoを堆積させ、エミッタ陰極形成の最適条件を決定した。しかし、圧縮応力により膜が剥離する問題が生じた。そこで、膜が剥離しない条件を保ちつつ、キャビティ基板のホール径やホール深さを変更することで、先鋭なエミッタの作製を試みた。