[12p-W934-1~10] 9.3 ナノエレクトロニクス

[12p-W934-9] ナノ人工物メトリクスのためレジスト倒壊ランダムパターン形成と評価

〇呂 任鵬¹、清水 克真¹、殷 翔¹、上羽 陽介²、石川 幹雄²、北村 満²、葛西 誠也¹ (1.北大　量子集積センター、2.大日本印刷)

キーワード：ナノ人工物メトリクス、レジスト倒壊

人工物メトリクスは人工物の物理的特徴を利用した認証方法である。近年レジスト倒壊パターンを用いたナノ人工物メトリクスが耐クローン性の高い認証技術として注目されている。我々は簡便な構造識別法としてナノ構造を埋め込んだMOSFETによる電気的識別法を提案し、デバイスシミュレーションにより実証した。今回は電気的識別の実験実証に向けて、Si基板上のレジスト倒壊ランダムパターン形成条件とランダム性の関係について検討した。