[9a-M121-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [9a-M121-6] n-GaN/Al₂O₃界面におけるGa₂O₃層消失の理論予測

〇(D)長川 健太¹、白石 賢二^2,1 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：GaN、Al2O3、Ga2O3

本研究ではn-GaN/Ga₂O₃/Al₂O₃構造で発生する界面反応を明らかにした。Ga₂O₃界面層が存在した場合、これを分解してO原子を放出し、Al₂O₃中に格子間酸素欠陥を形成し、電子移動が起こることで大きなエネルギー利得が発生する。つまり、n-GaN/Ga₂O₃/Al₂O₃構造が形成された場合、Ga₂O₃層の分解が自発的に進行しn-GaN/Al₂O₃構造となる。