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[9a-PA1-10] 単結晶作製時の圧力変化による Mg2Sn の格子欠陥制御
キーワード:熱電変換材料、Mg2Sn、格子欠陥
これまで,Mg2Sn に存在する Mg 空孔欠陥の量と伝導型に相関があることを報告してきた.本研究では、作製時の圧力変化によってMg空孔欠陥量の制御を試みた。試料作製時の圧力を真空,Ar 0.6 気圧,あるいは Ar 1.3 気圧として作製した Mg2Sn 単結晶の S@R.T. は圧力が高いほど絶対値が小さくなった.これは,圧力が高いとアクセプタ型の格子欠陥である VMg 量が増加したと考えられる。したがって、作製時の圧力によって VMg 量を制御できることが示唆された.