[9a-PA1-1~13] 9.4 熱電変換

[9a-PA1-2] 表面電位顕微鏡によるSiワイヤのゼーベック係数評価

〇鈴木 悠平¹、岡 晃人¹、川合 健斗¹、姫田 悠矢²、武澤 宏樹²、富田 基裕²、立岡 浩一¹、松川 貴³、松木 武雄^2,3、渡邉 孝信²、猪川 洋¹、下村 勝¹、村上 健司¹、サレ ファイズ⁴、池田 浩也¹ (1.静大、2.早大、3.産総研、4.マラヤ大)

キーワード：表面電位顕微鏡、ゼーベック係数、Si

表面電位顕微鏡によりゼーベック係数を実測するために，Siワイヤと温度測定用パッドを備えた試料を作製し，表面電位測定を行った．Siワイヤに与えた温度勾配に起因する両端にかかる電位差が15 mV，温度測定用パッド間の温度差が6Kと見積もられ，ゼーベック係数は-2.5mV/Kと求められた．この値は，同じキャリア濃度のバルクSiのゼーベック係数のおよそ10倍であった．この原因については電子分布シミュレーションの解析と共に検討中である．