2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[9a-PA2-1~40] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

2019年3月9日(土) 09:30 〜 11:30 PA2 (屋内運動場)

09:30 〜 11:30

[9a-PA2-11] 高分子ドープ型pn接合ダイオードの熱特性の解明と安定性の向上

〇(M2)原田 敏彰1、藤田 克彦1,2 (1.九大総理工、2.九大先導研)

キーワード:有機半導体

超希薄溶気相濃縮スプレイ法(ESDUS法) により効率的なポリマー半導体のn型ドーピングが可能となり、p型ドープ層と積層することで、キャリアドープ型のpn接合ダイオードが構築できる。これまでに、ポリマー半導体MEH-PPVのホモ接合ダイオードが整流性を示すことを報告しているが、加熱によってダイオード特性が急速に劣化する。ドーパントの拡散が原因ではないかとの仮説に基づき、p-i-n接合ダイオードの熱安定性を調査した。