[9a-PB3-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[9a-PB3-14] 高耐圧4H-SiCショットキーpnダイオードの開発

〇児島 一聡¹、奥村 元¹ (1.（国）産総研)

キーワード：4H-SiC、ショットキーpn接合、オン抵抗

ショットキー接合と片側pn接合に挟まれた低濃度領域が完全空乏化した構造を有するショットキーPNダイオード（SPND）は導通時に空乏化した領域を電子または正孔の一方だけが移動するため、従来構造のダイオードに比べて低オン抵抗になること、pn接合を有するにも関わらず少数キャリアの注入が起こらないために高速で動作することがダイヤモンドや4H-SiCで実証がされている。本研究では4H-SiCを用いたSPINDの高耐圧化を実施、従来にない低抵抗化と高耐圧化の両立を図った。